Skip navigation
BelSU DSpace logo

Browsing by Subject полупроводники

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 15 of 15
Issue DateTitleAuthor(s)
2004Анализ режима теплового пробоя полупроводниковых материалов на основе нелинейного уравнения теплопроводностиАндреева, Н. В.; Вирченко, Ю. П.
2016Влияние легирования железа на зарядовое и орбитальное упорядочение La0:5Ca0:5Mn1-xFexO3Иванчихин, С. В.
2009Влияние легирования медью на зарядовое упорядочение в La⅓Ca⅔Mn₁₋yCuyO₃ (0 ≤ y ≤ 0.07)Орлова, Т. С.; Laval, J. Y.; Захвалинский, В. С.
2016Жидкокристаллическая дифракционная решетка, управляемая полем p-n переходаБогданов, С. И.
2025Изучение влияния температуры на параметры насыщения и стабильность легированных образцов GaN:SiСохань, К. C.
2019Исследование вольт-фарадных характеристик структуры Si/нематик/металл вблизи перехода ФредериксаРыжикова, Е. Ю.
2011Исследование осцилляций Шубникова-де Гааза в á -фазе твердых растворов (Cd₁-­x-y Znx Mny)₃ As₂Захвалинский, B. C.; Lahderanta, Е.; Lashkul, A.; Захвалинская, М. Н.; Пилюк, Е. А.
2016Исследование холестерико-нематического перехода в окрестности дефектов пленки SiO? в структурах Si/ SiO?/холестерик/прозрачный электродТростянский, А. А.
2016Моделирование вольт-амперной характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния ₄H-SiCРыбалка, С. Б.; Краюшкина, Е. Ю.; Хвостов, В. А.; Демидов, А. А.
2013Особенности и режим работы Шоттки-матриц на основе контакта IRSI-SIКеримов, Э. А.
2018Получение и исследование свойств разбавленного магнитного полупроводникаДавлетчурин, К. Х.
2018Получение монокристаллов и исследование электропроводности твердого раствора (Cd1-xZnx)3As2Морочо Амбойя, А. А.
2017Расчет влияния материала анода на вольт-амперные характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния 4H-SiCРыбалка, С. Б.; Краюшкина, Е. Ю.; Демидов, А. А.; Дракин, А. Ю.; Зотин, В. Ф.
2021Спин-поляризованный электрический ток в нанокомпозите Cd48.6Mn11.4As40Сайпулаева, Л. А.; Пирмагомедов, З. Ш; Гаджиалиев, М. М.; Алибеков, А. Г.; Захвалинский, В. С.
2012Эффект поля, индуцированный подвижными ионами в жидкокристаллической ячейке с кремниевой подложкойКучеев, С. И.; Новиков, В. Ю.; Тучина, Ю. С.