Skip navigation
BelSU DSpace logo

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.bsuedu.ru/handle/123456789/30412
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorIvanov, O.-
dc.contributor.authorYaprintsev, M.-
dc.contributor.authorDanshina, E.-
dc.date.accessioned2020-05-22T20:15:09Z-
dc.date.available2020-05-22T20:15:09Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationIvanov, O. Electric field effect on variable-range hopping conductivity in Bi1.9Lu0.1Te3 / O. Ivanov, M. Yaprintsev, E. Danshina // Physica B: Condensed Matter. - 2018. - Vol.545. - P. 222-227.ru
dc.identifier.urihttp://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/30412-
dc.description.abstractElectric field effect on low-temperature electrical resistivity of n-type Bi1.9Lu0.1Te3 was examined and analyzed. It was found that with decreasing temperature from 35 down to 2.5 K, the conductivity mechanism changes from metal type to semiconductor one resulting in appearance of minimum in the specific electrical resistivity, ρru
dc.language.isoenru
dc.subjectphysicsru
dc.subjectvariable-range hopping conductivityru
dc.subjectaverage hopping distanceru
dc.subjectelectric field activationru
dc.subjectdensity of stateru
dc.titleElectric field effect on variable-range hopping conductivity in Bi1.9Lu0.1Te3ru
dc.typeArticleru
Располагается в коллекциях:Статьи из периодических изданий и сборников (на иностранных языках) = Articles from periodicals and collections (in foreign languages)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Ivanov_Electric_Field.pdf1.19 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.