| Поле DC | Значение | Язык |
|---|
| dc.contributor.author | Рыбалка, С. Б. | - |
| dc.contributor.author | Краюшкина, Е. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Хвостов, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Демидов, А. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2024-01-11T14:45:06Z | - |
| dc.date.available | 2024-01-11T14:45:06Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Моделирование вольт-амперной характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния ₄H-SiC / С. Б. Рыбалка [и др.] ; Брянский государственный технический университет // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2016. - №13(234), вып.43.-С. 140-143. - Библиогр.: с. 143. | ru |
| dc.identifier.uri | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/59260 | - |
| dc.description.abstract | Вольт-амперная характеристика диода Шоттки ₄H-SiC с контактом Шоттки из Ni в прямом направлении была рассчитана и смоделирована на основе теории термоэлектронной эмиссии и физической аналитической модели основанной на уравнении Пуассона, уравнений диффузии и непрерывности | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | физика | ru |
| dc.subject | физика твердого тела | ru |
| dc.subject | физика полупроводников | ru |
| dc.subject | полупроводники | ru |
| dc.subject | карбид кремния | ru |
| dc.subject | диоды | ru |
| dc.subject | диоды Шоттки | ru |
| dc.subject | термоэлектронная эмиссия | ru |
| dc.subject | уравнение Пуассона | ru |
| dc.title | Моделирование вольт-амперной характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния ₄H-SiC | ru |
| dc.type | Article | ru |
| Располагается в коллекциях: | № 13 (234), вып. 43
|
