http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/45800| Название: | Современные и перспективные полупроводниковые материалы для микроэлектроники следующего десятилетия (2020-2030 гг.) |
| Авторы: | Демидов, А. А. Рыбалка, С. Б. |
| Ключевые слова: | физика физика твердого тела физика полупроводников кремний карбид кремния нитрид галлия алмаз оксид галлия нитрид алюминия нитрид бора силовая микроэлектроника |
| Дата публикации: | 2021 |
| Библиографическое описание: | Демидов, А.А. Современные и перспективные полупроводниковые материалы для микроэлектроники следующего десятилетия (2020-2030 гг.) / А.А. Демидов, С.Б. Рыбалка // Прикладная математика & Физика. - 2021. - Т.53, №1.-С. 53-72. - Doi: 10.18413/2687-0959-2021-53-1-53-72. |
| Краткий осмотр (реферат): | В обзоре рассмотрены современные и перспективные полупроводниковые материалы (кремний (Si), карбид кремния (SiC), нитрид галлия (GaN), алмаз, оксид галлия (Ga2O3), нитрид алюминия (AlN), нитрид бора (BN)) с точки зрения их использования при импортозамещении существующих и создании новых изделий микро- электроники. Дана оценка перспективности использования наиболее актуальных полупроводниковых материалов в ближайшее десятилетие |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/45800 |
| Располагается в коллекциях: | Т. 53, № 1 |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Demidov_Sovremennye.pdf | 845.71 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.