Skip navigation
BelSU DSpace logo

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/41611
Название: Hopping Conductivity Mechanism in Cd₃As₂ Films Prepared by Magnetron Sputtering
Авторы: Zakhvalinskii, V. S.
Pilyuk, E. A.
Nikulicheva, T. B.
Ivanchikhin, S. V.
Yaprintsev, M. N.
Goncharov, I. Yu.
Kolesnikov, D. A.
Morocho, A. A.
Ключевые слова: physics
solid state physics
cadmium arsenide
Dirac semimetals
thin films
hopping conductivity
Дата публикации: 2020
Библиографическое описание: Hopping Conductivity Mechanism in Cd₃As₂ Films Prepared by Magnetron Sputtering / V.S. Zakhvalinskii [et al.] // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2020. - Vol.12, №3.-Art. 03029. - Doi: 10.21272/jnep.12(3).03029. - URL: https://jnep.sumdu.edu.ua/download/numbers/2020/3/articles/jnep_12_3_03029.pdf
Краткий осмотр (реферат): Cadmium arsenide films on oxidized silicon substrates were obtained by RF magnetron sputtering. The structure and morphology of the surface were studied by atomic force microscopy (AFM) and Raman spectroscopy
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/41611
Располагается в коллекциях:Статьи из периодических изданий и сборников (на иностранных языках) = Articles from periodicals and collections (in foreign languages)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Zakhvalinskiy_Hopping_20.pdf580.28 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.