http://dspace.bsuedu.ru/handle/123456789/62921| Название: | Simulating quantum states of positively charged particles channeling along the [111] direction in a silicon crystal |
| Авторы: | Syshchenko, V. V. Tarnovsky, A. I. ParakhinIsupov, A. S. Isupov, A. Yu. |
| Ключевые слова: | physics solid state physics channeling silicon numerical simulation spectral method hexagonal grid quantum chaos |
| Дата публикации: | 2024 |
| Библиографическое описание: | Simulating quantum states of positively charged particles channeling along the [111] direction in a silicon crystal / V.V. Syshchenko, A.I. Tarnovsky, A.S. Parakhin, Isupov A.Yu. // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. - 2024. - Vol.18, №2.-P. 274-280. |
| Краткий осмотр (реферат): | The potential well formed by the repulsive continuous potentials of three neighboring [111] chains in a silicon crystal, for a positively charged particle, exhibits the symmetry of an equilateral triangle, described by the group |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/62921 |
| Располагается в коллекциях: | Статьи из периодических изданий и сборников (на иностранных языках) = Articles from periodicals and collections (in foreign languages) |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Syshchenko_Simulating Quantum_24.pdf | 670.23 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.